本发明公开了一种AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷及其制备方法,属于多孔陶瓷技术领域。所述的AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷采用平行排列的SiC基陶瓷层作为基体,SiC基陶瓷层间存在层状贯通孔,大量AlN晶须端部粘附在SiC基陶瓷层表面并向层状贯通孔中伸出。这些AlN晶须相互交叉在层状贯通孔中形成三维网状结构,从而能够提高层状多孔SiC陶瓷的比表面积,并可以实现对SiC基陶瓷层的有效支撑,增加层状多孔SiC陶瓷的强度。本发明的AlN晶须增强层状多孔SiC陶瓷的比表面积和压缩强度明显增加,能显著提高层状多孔SiC陶瓷的使用价值。