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专利号:0已授权
申请日:1970-01-01发布日期:1970-01-01

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本发明属于耐磨金属薄膜技术领域,涉及一种耐磨NbMoWTa/Ag多层膜及其制备方法,制备方法包括以下步骤:S1:将基体、NbMoWTa和Ag置入真空沉积环境中,向沉积环境中输入离化气体;S2:打开一号电源,以电源功率90~100W、基体偏压‑75~‑85V、基体转速3~4rpm、沉积速率7.23~7.55nm/s将NbMoWTa沉积在基体上得到NbMoWTa层,沉积至厚度4~5nm后关闭一号电源;S3:打开二号电源,以电源功率90~100W、基体偏压‑75~‑85V、基体转速3~4rpm、沉积速率18.55~18.95nm/s将Ag沉积在NbMoWTa层上得到Ag层,沉积至厚度4~5nm后关闭二号电源;S4:按照S2将NbMoWTa沉积在Ag上;S5:重复S3~S4,制得耐磨NbMoWTa/Ag多层膜。本发明提供的制备方法在提升了膜材料整体耐磨性的同时可使膜材料结构致密,摩擦系数大幅度降低,综合性能更加优良。

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